1，氮化铝陶瓷基板应用范围
氮化铝粉末纯度高，粒径小，活性大，是制造高导热氮化铝陶瓷基片的主要原料。
氮化铝陶瓷基片，热导率高，膨胀系数低，强度高，耐高温，耐化学腐蚀，电阻率高，介电损耗小，是理想的大规模集成电路散热基板和封装材料。
利用AIN陶瓷耐热耐熔体侵蚀和热震性，可制作GaAs晶体坩埚、Al蒸发皿、磁流体发电装置及高温透平机耐蚀部件，利用其光学性能可作红外线窗口。氮化铝薄膜可制成高频压电元件、超大规模集成电路基片等。
氮化铝陶瓷基板的性能参数和应用范围
2，氮化铝陶瓷基板在半导体应用
半导体在集成电路、消费电子、通信系统、光伏发电、照明应用、大功率电源转换等领域应用需要器件具备较强的散热能力和电器性能。
3，氮化铝薄膜陶瓷电路基板的应用实例
AIN(氮化铝）薄膜性能的特殊性和优异性决定了其在多方面的应用。氮化铝薄膜陶瓷基板已经被广泛应用作为电子器件和集成电路的封装中隔离介质和绝缘材料；作为工程LED中*为瞩目的蓝光、紫外发光材料，被人们大量的研究；AlN薄膜还是一种**的热释电材料；用于氮化嫁与碳化硅等材料外延生长的过渡层，SOI材料的绝缘埋层以及GHz级声表面波器件压电薄膜则是AlN薄膜今后具有竞争力的应用方向。氮化铝薄膜陶瓷电路基板在实用案例如声表面波器件（SAW）用压电薄膜、高效紫外固体光原材料、场发射显示器和微真空管、作为刀具涂层、
AlN薄膜在光学膜、及散热装置中都有很好的应用前景。AlN薄膜也可用于制作压电材料、高导热率器件、声光器件、超紫外和X-ray探测器和真空集电极发射、MIS器件的介电材料、磁光记录介质的保护层。